TSMC и японская ROHM объединили усилия в разработке GaN-устройств для электромобилей

Москва. 11 декабря. — Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) и японский производитель полупроводниковых и электронных компонентов ROHM создали партнерство с целью совместной разработки и массового выпуска силовых устройств на основе нитрида галлия (GaN) для применения в электромобилях.

Как говорится в пресс-релизе ROHM, партнерство объединит технологии разработки устройств японской компании с GaN-технологиями TSMC. Использование нитрида галлия в силовой электронике расширяется благодаря свойствам материала, который превосходит кремний по плотности мощности и способности работать на высоких частотах переключения в широком диапазоне температур.

В настоящее время силовые устройства на основе GaN уже используются как в потребительских, так и в промышленных приложениях, в том числе, в адаптерах переменного тока и серверных блоках питания.

TSMC поддерживает эту технологию в связи с ее потенциальными экологическими преимуществами в автомобильных приложениях, отмечается в пресс-релизе.

Тайваньская TSMC является ведущим мировым производителем микросхем на заказ.